“长江学者奖励计划”特聘教授 黄风义教授
2009-09-27

        黄风义,东南大学信息科学与工程学院教授,博士生导师,教育部长江学者特聘教授。曾任美国IBM高级半导体技术中心(纽约)主任工程师(Advisory Engineer),参与国际领先的锗硅(BiCMOS)工艺和产品技术的研发。回国后主要从事射频集成电路的设计以及器件模型的研究,在CMOS无源器件射频模型参数提取领域的成果,以第一作者发表在国际集成电路领域最权威期刊《IEEE JSSC》,是以大陆为主要依托单位在此杂志发表的第二篇论文,并被〈科技导报〉遴选为2006年中国重大科技进展之一。负责了多项国家科技重大专项以及科技部863项目。发表论文被SCI收录50多篇次,被SCI他人引用500多篇次,第一作者论文包括五个领域国际权威期刊或国际会议,如物理方面的 《Phys. Rev. Lett.》,微电子领域权威年会《国际电子器件年会(IEEE IEDM) 》,IEEE J. of Solid State Circuits,EDL,Photonic Tech. Lett.,等。在英国物理学会出版社出版的《薄膜工艺和技术手册》上著有两章专著章节。被授予9项美国专利,申请了多项中国专利。